量子存储技术
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量子存储技术
常用的存储器(DRAM)需要不间断的更新内容,闪存的优势是低能耗,具有更高的灵活性,劣势是它保存数据的时间只有10年,而且访问速度比DRAM慢很多。因此一个完美的记忆存储器既要具有闪存的数据不易损失性能,访问速度还应该远超DRAM,量子点(quantum dots)就能满足上述要求,它的电子属性是可调的。 德国的研究人员在探索合适的可自我组装排列的量子点,以创造永久的存储器。他们正在实现访问时间10纳秒,更新频率在0.7Hz的新随机存储器。一般的闪存记忆能力依赖二氧化硅层的无穷大势垒,当在flash单元上写入数据时电子穿越障碍需要许多能量,而能量会破坏二氧化硅层,量子点则相反,它具有可调的属性,因此障碍能始终保持在较低高度。基于目前已知的材料属性和量子点的特殊性,研究人员预测他们能够创造一个保存数据长达1百万年的存储器,到时候,你可以对现有的任何存储设备说再见了。
http://arstechnica.com/news.ars/post/20 ... emory.html
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Re: 量子存储技术
换,应该要换...
-
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Re: 量子存储技术
为什么自己以为美的才是美?别人以为的不算?这是哪门子道理?
……
我想……这是否能算是作为战争的根源?
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我想……这是否能算是作为战争的根源?