16G闪存颗粒下月量产,32-G 闪存颗粒2008年第三季度量产。

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skyx
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16G闪存颗粒下月量产,32-G 闪存颗粒2008年第三季度量产。

#1

帖子 skyx » 2008-02-28 13:52

http://www.edn.com/article/CA6529998.html


43-nm 制程,16G闪存颗粒,大小120平方毫米,下月量产,32-G 闪存颗粒2008年第三季度量产。看来硬盘时日不多了。

The Japanese semiconductor manufacturer will ship 16GB- and 32-GB single-chip flash memory, fabricated on its 43-nm process technology co-developed with SanDisk.






Toshiba touts 43-nm CMOS 16-GB NAND flash
The Japanese semiconductor manufacturer will ship 16GB- and 32-GB single-chip flash memory, fabricated on its 43-nm process technology co-developed with SanDisk.
By Ann Steffora Mutschler, Senior Editor -- Electronic News, 2/7/2008

Tokyo-based Toshiba Corp and its Irvine, Calif.-based subsidiary Toshiba America Electronic Components this week detailed its 16-GB NAND flash memory chip, manufactured on its 43-nm process technology co-developed with SanDisk Corp, during the International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) that was held in San Francisco this week.

Toshiba made clear that when in relation to memory density, GB means 1,024x1,024x1,024 = 1,073,741,824 bytes, and that usable capacity may be less.

The 16-GB products have a chip area of 120-square millimeters, less than 30% that of same density NAND-flash memories jointly developed by Toshiba and SanDisk and fabricated with 56-nm process technology.

The company noted that memory cells are grouped and controlled in NAND strings of 64 cells aligned in parallel, double the number of 56-nm devices, with a dummy word-line at either end to prevent program disturbance, which is meant to reduce the number of select gates and improve memory area efficiency.

Modification of the peripheral circuit design also contribute to a reduced chip area with the addition of high voltage switches to the circuit that reduces the number of control-gate driver circuits required to drive word lines, and ground buses that are routed on the memory cell arrays.

Toshiba said it will start shipping commercial samples of new 16-GB single-chip, multi-level cell NAND flash memories today, and plans to start mass production next month.

Further, Toshiba said it intends to start mass production of 32-GB NAND flash memories in Q3, with the new chips to be manufactured at its Fab 4, the latest 300-mm wafer fabrication facility at Toshiba's Yokkaichi Operations in Mie prefecture, Japan.
上次由 skyx 在 2008-03-15 12:01,总共编辑 2 次。
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#2

帖子 bones7456 » 2008-02-28 14:15

啥时候能有 made in China 的啊?
关注我的blog: ε==3
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skyx
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#3

帖子 skyx » 2008-02-28 14:34

bones7456 写了:啥时候能有 made in China 的啊?
packaged in China 或 assembled in China 是可以的,特别是后者。

晶元 made in china恐怕很难。
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#4

帖子 xiooli » 2008-02-28 15:12

到时候电脑里面来几个硬盘槽,加硬盘时候就像现在换内存一样,哈哈
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SecretZero
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#5

帖子 SecretZero » 2008-02-28 16:05

32G了~??

啊~看来,好快就到移动系统了。。
深度,值得深入!
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#6

帖子 Tenyears » 2008-02-29 11:06

部分取代吧
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#7

帖子 skyx » 2008-02-29 11:19

Tenyears 写了:部分取代吧
摩尔定律,集成的电路的数目,每隔18个月就翻一番。而价格下降一倍。

现在单个闪存颗粒容量就到16G了,你说硬盘还有多少时日?
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#8

帖子 me » 2008-02-29 12:14

关注的是价格
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#9

帖子 skyx » 2008-02-29 12:22

me 写了:关注的是价格
现在4G的sd卡是100元,那40G的价应该小于1000元。这肯定不是43-nm 制程的颗粒。

就算是,再过18个月,也只要500元。再过18个元,就是不到250元

三年内取代硬盘并不是空谈
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#10

帖子 Tenyears » 2008-02-29 15:51

skyx 写了:
Tenyears 写了:部分取代吧
摩尔定律,集成的电路的数目,每隔18个月就翻一番。而价格下降一倍。

现在单个闪存颗粒容量就到16G了,你说硬盘还有多少时日?
18个月翻一番的摩尔定律是老皇历了,早就被更正为24个月一番了,翻翻ITRS吧
闪存技术发展,硬盘也不是静止的,现在硬盘最大容量是1T,明年就有3T(日立)
现阶段硬盘性价比最佳的320G,600多元,约2¥/GB,闪存我见到的是8G/200元,约25¥/GB,性价比差距约10倍
你说该用多长时间才能弥补这个差距?硬盘不发展也得2*3=6年,硬盘发展一下了,再多个四年吧。
10年太长了,10年后硅基半导体工业还行不行还是个问题,硬盘恐怕也得多层垂直记录了,10年后的事情就不要在这里预测了

我也相信固态硬盘肯定取代机械硬盘,时间就难说了
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#11

帖子 Tenyears » 2008-02-29 15:55

skyx 写了:
me 写了:关注的是价格
现在4G的sd卡是100元,那40G的价应该小于1000元。这肯定不是43-nm 制程的颗粒。

就算是,再过18个月,也只要500元。再过18个元,就是不到250元

三年内取代硬盘并不是空谈
就按你这个速度算,三年后每GB还要6元,而硬盘现在每GB就只要2元,你凭什么取代?
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#12

帖子 yang_hui1986527 » 2008-02-29 15:58

现在价格估计还是很高的!
微信:sn0wdr1am86
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网站:http://www.snowdream.tech/
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#13

帖子 skyx » 2008-02-29 15:58

Tenyears 写了:
skyx 写了:
me 写了:关注的是价格
现在4G的sd卡是100元,那40G的价应该小于1000元。这肯定不是43-nm 制程的颗粒。

就算是,再过18个月,也只要500元。再过18个元,就是不到250元

三年内取代硬盘并不是空谈
就按你这个速度算,三年后每GB还要6元,而硬盘现在每GB就只要2元,你凭什么取代?
速度和重量,体积,发热量,稳定性,抗机械冲击......and so on, 按你的说法,lcd 现在还不能取代crt?难道就因为crt每英寸的成本仍然优于lcd?

现在ssd的速度已经是目前硬盘的好几倍了,随着工艺的改进,速度还会提升

其它杀手级应用,内置锂电池,缓存用ddr 2或未来的ddr x 内存,比如说用1G或更大的ddr2内存,这样性能和安全性提升是惊人的。就算停电,文件系统都可以不出问题。。。。。。。
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#14

帖子 Tenyears » 2008-02-29 16:11

skyx 写了:
Tenyears 写了:
skyx 写了:
me 写了:关注的是价格
现在4G的sd卡是100元,那40G的价应该小于1000元。这肯定不是43-nm 制程的颗粒。

就算是,再过18个月,也只要500元。再过18个元,就是不到250元

三年内取代硬盘并不是空谈
就按你这个速度算,三年后每GB还要6元,而硬盘现在每GB就只要2元,你凭什么取代?
速度和重量,发热量,稳定性......and so on, 按你的说法,lcd 现在还不能取代crt?难道就因为crt每英寸的成本仍然优于lcd?
不否认闪存的优点,所以闪存现在就能得到广泛应用,但只要不在容量/价格上胜出,就不可能全面取代
我不相信会有谁愿意花250元买40G的存储放在家里的台式机上,市场上是有不同需求的
LCD/CRT?这种简单对比没有意义
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#15

帖子 skyx » 2008-02-29 16:13

Tenyears 写了:
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skyx 写了:
me 写了:关注的是价格
现在4G的sd卡是100元,那40G的价应该小于1000元。这肯定不是43-nm 制程的颗粒。

就算是,再过18个月,也只要500元。再过18个元,就是不到250元

三年内取代硬盘并不是空谈
就按你这个速度算,三年后每GB还要6元,而硬盘现在每GB就只要2元,你凭什么取代?
速度和重量,发热量,稳定性......and so on, 按你的说法,lcd 现在还不能取代crt?难道就因为crt每英寸的成本仍然优于lcd?
不否认闪存的优点,所以闪存现在就能得到广泛应用,但只要不在容量/价格上胜出,就不可能全面取代
我不相信会有谁愿意花250元买40G的存储放在家里的台式机上,市场上是有不同需求的
LCD/CRT?这种简单对比没有意义
死犟?要不你们家就是造硬盘或卖硬盘的,不理你了。
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